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发明名称
Aufbau und Verfahren zum Bilden eines Feldeffekttransistors mit gekerbtem Gate
摘要
申请公布号
DE112004000745(B4)
申请公布日期
2008.05.29
申请号
DE20041100745T
申请日期
2004.05.06
申请人
INFINEON TECHNOLOGIES AG;IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人
BEINTNER, JOCHEN;LI, YUJUN;MOUMEN, NAIM;WRSCHKA, PORSHIA SHANE
分类号
H01L29/423;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786
主分类号
H01L29/423
代理机构
代理人
主权项
地址
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