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发明名称 Bipolartransistor mit epitaxialer Basis und Verfahren zur Herstellung
摘要
申请公布号 DE69637500(D1) 申请公布日期 2008.05.29
申请号 DE19966037500 申请日期 1996.12.13
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI 发明人 NARUSE, HIROSHI;SUGAYA, HIROYUKI;SAIHARA, HIDENORI;BABA, YOSHIRO
分类号 H01L29/73;H01L29/732;H01L21/20;H01L21/331;H01L21/76;H01L29/10 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
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