P沟道电荷捕捉存储元件及其编程与擦除方法

摘要

本发明是关于一种p沟道电荷捕捉存储元件的编程与擦除方法，其中存储元件包括一n型基底与形成于其上的数个存储单元，每一存储单元对应一字线、一第一位线与一第二位线，且存储单元包含用来各储存一个位信息的第一位部位与第二位部位。这种方法包括由供应一第一负偏压至一被选存储单元的字线与供应一接地偏压至第一与第二位线来重设被选存储单元，以及由供应一第一正偏压至被选存储单元的字线、供应一第二负偏压至被选存储单元的第一位线及供应一接地偏压至被选存储单元的第二位线来编程被选存储单元的第一位部位。

主权项

1.一种操作存储元件的方法，其中该存储元件包括一n型基底与形成于其上的多个存储单元，每一存储单元包含一控制栅极、一源区、一漏区、定义于该源区与该漏区间的一沟道区、在该沟道区上提供的一捕捉层、在该捕捉层与该沟道区间提供的一第一绝缘层以及在该捕捉层与该控制栅极间提供的一第二绝缘层，其中该控制栅极对应于一字线、该源区对应于一第一位线且该漏区对应于一第二位线，以及其中每一存储单元包含用来各储存一个位信息的一第一位部位与一第二位部位，其特征在于包括以下步骤：重设一被选存储单元，包括：供应一第一负偏压至该被选存储单元的该字线；以及供应一接地偏压至该第一位线与该第二位线；以及编程该被选存储单元的该第一位部位，包括：供应一第一正偏压至该被选存储单元的该字线；供应一第二负偏压至该被选存储单元的该第一位线；以及供应一接地偏压至该被选存储单元的该第二位线。