| 发明名称 | 硅半导体晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供其中滑移位错及翘曲均被抑制得极小且适合于直径增大的高品质硅晶片及其制造方法。获得存在于与硅晶片表面的距离等于或大于20μm的深位置处的尺寸为20nm至40nm的BMD的密度在5×10<SUP>11</SUP>/cm<SUP>3</SUP>至5×10<SUP>13</SUP>/cm<SUP>3</SUP>的范围内且尺寸为300nm或更大的BMD的密度等于或小于1×10<SUP>7</SUP>/cm<SUP>3</SUP>的硅晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN101187058A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200710153492.8 | 申请日期 | 2007.09.20 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 中居克彦;W·v·阿蒙;福岛圣;H·施密特;M·韦伯 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01);C30B33/02(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/322(2006.01) | 主分类号 | C30B29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1.硅晶片，其中存在于与硅晶片表面的距离等于或大于20μm的深位置处的尺寸为20nm至40nm的BMD的密度在5×1011/cm3至5×1013/cm3的范围内，而尺寸为300nm或更大的BMD的密度等于或小于1×107/cm3。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||