顶部发光型有机发光二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种顶部发光型有机发光二极管及其制造方法。该顶部发光型有机发光二极管包括具有一薄膜晶体管区与一有机发光区的基板、一薄膜晶体管结构及一有机发光结构。该薄膜晶体管结构包括一位于该薄膜晶体管区的掺杂半导体层、一源极及一漏极。该源极与漏极分别与该掺杂半导体层电连接，且该有机发光区对应的漏极部分作为该有机发光二极管的阴极。该有机发光结构包括一阳极及依次层叠设置在该阴极表面的电子注入层、有机发光层及电洞注入层，该阳极覆盖该电洞注入层与该薄膜晶体管结构。该顶部发光型有机发光二极管亮度较高且其制造方法较简单。

主权项

1.一种顶部发光型有机发光二极管，其包括一透明绝缘基板与设置在该透明绝缘基板上的一薄膜晶体管结构与一有机发光结构，该透明绝缘基板上定义连续分布的一薄膜晶体管区与一有机发光区，该薄膜晶体管结构包括一掺杂半导体层、一源极及一漏极，该掺杂半导体层设置在该薄膜晶体管区，该源极与该薄膜晶体管区对应的漏极部分分别与该掺杂半导体层电连接，该钝化层覆盖该薄膜晶体管区对应的源极与漏极，该有机发光区包括一透明阳极、一电子注入层、一有机发光层及一电洞注入层，其特征在于：该有机发光区对应的漏极部分作为该顶部发光型有机发光二极管的阴极反射层，该电子注入层、有机发光层及该电洞注入层自下而上依次层叠设置在该阴极反射层表面，该透明阳极覆盖该电洞注入层与该薄膜晶体管结构。