发明名称 |
有机强电介质膜的形成法、存储元件的制法、存储装置 |
摘要 |
本发明提供一种有机强电介质膜的形成方法、存储元件的制造方法、存储装置和电子设备。具有:在基板2的一个面上涂布·干燥含有有机强电介质材料的液状材料,形成具有结晶度比有机强电介质膜4还低的结晶度、以有机强电介质材料作为主材料而构成的低结晶度膜4B的第1工序;和通过低结晶度膜4B的加热·加压,在对低结晶度膜4B整形的同时提高低结晶度膜4B的结晶度,形成有机强电介质膜4的第2工序。 |
申请公布号 |
CN101188198A |
申请公布日期 |
2008.05.28 |
申请号 |
CN200710168156.0 |
申请日期 |
2007.11.13 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
泷口宏志;柄泽润一 |
分类号 |
H01L21/312(2006.01);H01L21/288(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/312(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李贵亮 |
主权项 |
1.一种有机强电介质膜的形成方法,是以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的形成方法,该方法具有:在基板的一个面上形成结晶度比上述有机强电介质膜还低的结晶度的低结晶度膜的第1工序;和由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序,上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布·干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序;上述第2工序包括通过上述低结晶度膜的加热·加压,对上述低结晶度膜进行整形的同时提高上述低结晶度膜中的结晶度的工序。 |
地址 |
日本东京 |