包括具有限定半导体结的区域的超晶格的半导体器件

摘要

一种具有包含多个堆叠层组的超晶体结构的半导体器件。超晶格结构的每个层组可以包含限定了基本硅部分和其上的能带修改层的多个基本硅单层。该能带修改层可以含有被约束于相邻的基础硅部分的晶格中的至少一个非半导体单层。在该半导体元件中还可以包含限定至少一个半导体结的至少一对相反掺杂的区域。

主权项

1.一种半导体器件，包括：含有多个堆叠层组的超晶格；所述超晶格的每个层组包含多个堆叠的基础硅单层，这些单层限定了基础硅部分及其上面的能带修改层；所述能带修改层包含被约束在相邻的基础硅部分的晶格中的至少一个非半导体单层；和在所述超晶格中包括限定至少一个半导体结的至少一对相反掺杂的区域。