发明名称 |
一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法 |
摘要 |
一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法,在化学还原气氛中,将金属片与钽酸锂晶体基片之表面进行粗化后以接触方式交替堆叠,置于低于居里温度的环境中,对钽酸锂晶体基片进行还原处理,使钽酸锂晶体基片由白色或淡黄色转变为有色不透明化,依然保持其原有之压电材料特性。钽酸锂晶体基片经还原处理可降低其体电阻率,可改善声表面波滤波器(SAW filter)制造过程中因温度差异引起热释电效应产生的放电现象,并提高叉指电极线条于光刻工艺的精度,有助于提升SAW器件制作的成品率降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN106521633A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201611213934.9 |
申请日期 |
2016.12.26 |
申请人 |
福建晶安光电有限公司 |
发明人 |
陈铭欣;杨胜裕;刘明章;林飞;吴柯宏 |
分类号 |
C30B33/00(2006.01)I;C30B29/30(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法,将金属片与钽酸锂晶体基片其中一项或者两项之表面进行粗化后,置于低于居里温度的还原性环境中,以接触方式交替堆叠,对钽酸锂晶体基片进行还原处理。 |
地址 |
362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园 |