发明名称 一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法
摘要 一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法,在化学还原气氛中,将金属片与钽酸锂晶体基片之表面进行粗化后以接触方式交替堆叠,置于低于居里温度的环境中,对钽酸锂晶体基片进行还原处理,使钽酸锂晶体基片由白色或淡黄色转变为有色不透明化,依然保持其原有之压电材料特性。钽酸锂晶体基片经还原处理可降低其体电阻率,可改善声表面波滤波器(SAW filter)制造过程中因温度差异引起热释电效应产生的放电现象,并提高叉指电极线条于光刻工艺的精度,有助于提升SAW器件制作的成品率降低生产成本。
申请公布号 CN106521633A 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201611213934.9 申请日期 2016.12.26
申请人 福建晶安光电有限公司 发明人 陈铭欣;杨胜裕;刘明章;林飞;吴柯宏
分类号 C30B33/00(2006.01)I;C30B29/30(2006.01)I 主分类号 C30B33/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法,将金属片与钽酸锂晶体基片其中一项或者两项之表面进行粗化后,置于低于居里温度的还原性环境中,以接触方式交替堆叠,对钽酸锂晶体基片进行还原处理。
地址 362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园