| 发明名称 | 制造半导体器件的方法以及利用该方法制造的产品 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体器件的方法以及利用该方法制造的产品。该半导体器件包括：半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底异质邻接；栅极绝缘层，其接触半导体衬底和异质半导体区的异质结；栅电极，其形成在栅极绝缘层上；电场缓和区，其与接触栅极绝缘层的异质结的异质结驱动端间隔开预定距离，并且接触半导体衬底和栅极绝缘层；源电极，其接触异质半导体区；以及漏电极，其接触半导体衬底。在异质半导体区形成掩模层，并且通过至少使用部分第一掩模层来形成电场缓和区和异质结驱动端。 | ||
| 申请公布号 | CN101188201A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200710193701.1 | 申请日期 | 2007.11.22 |
| 申请人 | 日产自动车株式会社 | 发明人 | 林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/267(2006.01);H01L29/10(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；异质半导体区，其由带隙宽度与所述半导体衬底的带隙宽度不同的半导体材料形成，并且与所述半导体衬底异质邻接；栅极绝缘层，其接触所述半导体衬底和所述异质半导体区的异质结；栅电极，其形成在所述栅极绝缘层上；第一电场缓和区，其与接触所述栅极绝缘层的所述异质结的异质结驱动端间隔开预定距离，并且接触所述半导体衬底和所述栅极绝缘层；源电极，其接触所述异质半导体区；以及漏电极，其接触所述半导体衬底，所述方法包括：在所述异质半导体区形成第一掩模层；以及至少使用部分所述第一掩模层来形成所述第一电场缓和区和所述异质结驱动端。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||