| 发明名称 | 磁存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可防止写入电流值因存储单元不同而产生误差的磁存储装置。磁存储装置包括沿第1方向相互间隔设置，记录信息的第1、第2磁阻元件。用来给第1、第2磁阻元件施加磁场的第1布线沿第1方向设置。用来将第1布线来的磁场有效施加于第2磁阻元件的第1磁路在第1布线的侧面延伸并在第1、第2磁阻元件间形成缺口部分。 | ||
| 申请公布号 | CN100390897C | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200310114148.X | 申请日期 | 2003.11.05 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 福住嘉晃 |
| 分类号 | G11C11/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G11C11/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种磁存储装置，其特征在于包括：沿第1方向相互隔离设置，记录信息的第1、第2磁阻元件；沿上述第1方向设置的、用来将磁场施加于上述第1、第2磁阻元件上的第1布线；在上述第1布线的侧面延伸，并在上述第1、第2磁阻元件之间形成有缺口部分，用来将来自上述第1布线的磁场有效施加于上述第1、第2磁阻元件上的第1磁路；沿与上述第1方向不同的第2方向，与上述第1磁阻元件隔离设置，记录信息的第3磁阻元件；以及沿上述第2方向设置的、用来将磁场施加于上述第1、第3磁阻元件上的第2布线。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||