发明名称 | 光学元件的制造方法和具有极化反转结构的光学元件 | ||
摘要 | 使用具有大致与结晶的Z轴垂直的主表面的强电介质基板(1),在强电介质基板的主表面上设置具有形成了周期性排列的多个电极指(5)的图案的第一电极(3),在强电介质基板的另一个表面上设置与第一电极相对的相对电极(6),通过第一电极和相对电极将电场施加给强电介质基板,从而在强电介质基板中形成对应于第一电极的图案的极化反转区域。第一电极的各个电极指被配置成,使得从每一个电极指的基部向尖端(5a)的方向沿着强电介质基板的结晶的Y轴方向。由此可以形成均匀的且短周期的极化反转结构。 | ||
申请公布号 | CN100390651C | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
申请号 | CN200380104116.X | 申请日期 | 2003.11.21 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 水内公典;森川显洋;杉田知也 |
分类号 | G02F1/37(2006.01) | 主分类号 | G02F1/37(2006.01) |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
主权项 | 1.一种光学元件的制造方法,该方法使用具有与结晶的Z轴大致垂直的主表面的强电介质基板,在上述强电介质基板的主表面上设置第一电极,该第一电极具有形成有周期性设置的多个电极指的图案,在上述强电介质基板的另一表面上设置与上述第一电极相对的相对电极,通过上述第一电极和上述相对电极向上述强电介质基板施加电场,在上述强电介质基板上形成与上述第一电极的图案相对应的极化反转结构,该光学元件具有该极化反转结构,其特征在于:作为上述强电介质基板,使用掺杂了Mg的LiTa(1-X)NbXO3,其中0≤x≤1;设置上述第一电极的各个电极指,使得从上述第一电极的电极指的基部向着尖端的方向沿着上述强电介质基板的结晶的Y轴方向;对上述强电介质基板施加电场,来形成极化反转结构,使得通过上述电场施加而生长的上述极化反转区域的深度D的平均值是上述强电介质基板的厚度的40%~95%。 | ||
地址 | 日本大阪府 |