| 发明名称 | 图案化的方法 | ||
| 摘要 | 一种图案化的方法。此方法是先在材料层上依序形成底层、多硅有机层与光致抗蚀剂层。接着，图案化光致抗蚀剂层，再以光致抗蚀剂层为掩模，图案化多硅有机层。之后，以多硅有机层为掩模，进行一蚀刻工艺，图案化底层，此蚀刻工艺所使用的反应气体包括保护气体、蚀刻气体以及载气，其中保护气体可在蚀刻的过程中在已图案化的底层的侧壁形成保护层。其后，以底层为掩模，图案化材料层，以形成一开口。然后，再移除该底层。 | ||
| 申请公布号 | CN101188188A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200610160394.2 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈薏新;王明俊;廖俊雄;杨闵杰 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种图案化的方法，包括：在材料层上依序形成底层、多硅有机层与光致抗蚀剂层；图案化该光致抗蚀剂层；以该光致抗蚀剂层为掩模，图案化该多硅有机层；以该光致抗蚀剂层与该多硅有机层为掩模，进行蚀刻工艺，图案化该底层，该蚀刻工艺所使用的反应气体包括保护气体、蚀刻气体以及载气；以该多硅有机层与该底层为掩模，图案化该材料层，以形成开口；以及移除该底层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||