低热阻发光二极管芯片及其制作方法

摘要

本发明揭示低热阻发光二极管芯片的制作方法，包括在完成电极制作的包含金属电极、半导体外延层和蓝宝石衬底的LED圆片，进一步制作：提供一陪片，与所述LED圆片粘接；将所述蓝宝石衬底减薄到目标厚度；清洗减薄后的所述蓝宝石衬底表面；在所述蓝宝石衬底上沉积金属反光层；在所述金属反光层上制作低热阻基座；步骤六，移除所述陪片并清洗。本发明的一种低热阻发光二极管芯片，包括完成电极制作的含金属电极、半导体外延层和蓝宝石衬底的LED圆片，其特征在于，所述芯片进一步包括：金属反光层，设置在所述蓝宝石衬底的底面；低热阻基座，设置在所述金属反光层的底面。本发明可以显著提高LED的饱和工作电流密度。

主权项

1.低热阻发光二极管芯片的制作方法，所述方法包括在完成电极制作的包含金属电极、半导体外延层和蓝宝石衬底的LED圆片，进一步制作：步骤一，提供一陪片，与所述LED圆片粘接；步骤二，将所述蓝宝石衬底减薄到目标厚度；步骤三，清洗减薄后的所述蓝宝石衬底表面；步骤四，在所述蓝宝石衬底上沉积金属反光层；步骤五，在所述金属反光层上制作低热阻基座；步骤六，移除所述陪片并清洗。