具欧姆接触特性之光电元件

摘要

本发明系为一种具欧姆接触特性之光电元件，其结构可在N型矽基板上依序长出单晶P型矽锗应变层(Si0.8Ge0.2strain layer)与氧化铟锡层(indium tin oxide，简称 ITO)。本发明揭露单晶P型矽锗应变层和氧化铟锡层间拥有低特征接触电阻值的良好欧姆接触特性，并且在整个制程中无需退火步骤，可有效缩短生产时间。因此，本发明非常适合应用于搭配矽锗材料来制造高效能的近红外线光电元件。

主权项

1.一种具欧姆接触特性之光电元件,其包括: 一N型矽基板; 一形成于该N型矽基板上之单晶P型矽锗应变层(Si0. 8Ge0.2 strain layer); 一形成于该单晶P型矽锗应变层上之氧化铟锡层( indium tin oxide,简称ITO),且该氧化铟锡层与该单晶P 型矽锗应变层之间系具有欧姆接触特性。 图式简单说明: 第1图系本发明实施例之元件结构示意图 第2图系利用本发明实施例中制程步骤所生成之氧 化铟锡层/玻璃基板的结构示意图 第3图系利用本发明实施例中制程步骤所生成之氧 化铟锡层/玻璃基板结构之片电阻与退火温度的关 系图 第4图系利用本发明实施例中制程步骤所生成之氧 化铟锡层/玻璃基板结构于未经退火和经400℃退火 下之氧化铟锡层的穿透率 第5图系本发明实施例的电流与电压特性曲线图 第6图系本发明实施例未经退火和经600℃退火后单 晶P型矽锗应变层(Si0.8Ge0.2 strain layer)的X光绕射图