| 主权项 |
1.一种高量子效率之影像感测器的制造方法,包括: 提供一基底; 于该基底中形成一浅沟槽隔离结构,用以定义一主 动区及一感光区; 于对应于该感光区之该浅沟槽隔离结构下方形成 一感光二极体; 移除对应于该感光区之该浅沟槽隔离结构,至暴露 出该感光二极体的表面; 顺应性形成一第一介电层于该感光二极体表面;以 及 于该第一介电层上形成一内层介电层,其中该第一 介电层的折射率介于该内层介电层的折射率与该 感光二极体的折射率之间。 2.如申请专利范围第1项所述之高量子效率之影像 感测器的制造方法,其中该内层介电层的折射率小 于该第一介电层的折射率,该第一介电层的折射率 小于该感光二极体的折射率。 3.如申请专利范围第1项所述之高量子效率之影像 感测器的制造方法,其中在形成该感光二极体之后 ,且在移除对应于该感光区之该浅沟槽隔离结构, 至暴露出该感光二极体的表面之前,更包括: 于该主动区形成一电晶体,该电晶体包括一闸极介 电层、一闸极电极和一对源极/汲极区,其中该对 源极/汲极区之一与该感光二极体连接;以及 进行自动对金属矽化物制程,以于该对源极/汲极 区形成一金属矽化物层。 4.如申请专利范围第1项所述之高量子效率之影像 感测器的制造方法,其中该第一介电层的材质为氮 化矽或氮氧化矽。 5.如申请专利范围第4项所述之高量子效率之影像 感测器的制造方法,其中该内层介电层的材质为氧 化矽。 6.如申请专利范围第1项所述之高量子效率之影像 感测器的制造方法,其中该第一介电层更包括顺应 性形成于该浅沟槽隔离结构的表面。 7.如申请专利范围第1项所述之高量子效率之影像 感测器的制造方法,其中该感光二极体系由将一N 井区设置于该基底中所构成,且该基底为P型基底 。 8.如申请专利范围第1项所述之高量子效率之影像 感测器的制造方法,其中该感光二极体系由将一P 井区设置于该基底中所构成,且该基底为N型基底 。 9.如申请专利范围第1项所述之高量子效率之影像 感测器的制造方法,其中移除对应于该感光区之该 浅沟槽隔离结构至暴露出该感光二极体的表面的 方法包括: 于已形成该金属矽化物层之该基底上形成一光阻 层,该光阻层大致暴露出该感光区之区域; 以该光阻层为蚀刻罩幕,对该感光区之该浅沟槽隔 离结构进行蚀刻,至暴露出该感光二极体的表面; 以及移除该光阻层。 10.一种高量子效率之影像感测器,包括: 一基底,该基底具有一感光区和一主动区; 一浅沟槽隔离结构,设置于该基底中,用以定义该 主动区; 一感光二极体,设置于该感光区,且设置于该浅沟 槽隔离结构之底部水平线下方; 一第一介电层,设置于该感光二极体表面,且与该 感光二极体接触;以及 一内层介电层,设置于该第一介电层上,其中该内 层介电层的折射率小于该第一介电层的折射率,该 第一介电层的折射率小于该感光二极体的折射率 。 11.如申请专利范围第10项所述之高量子效率之影 像感测器,更包括一电晶体,设置该主动区,该电晶 体包括一闸极介电层、一闸极电极和一对源极/汲 极区,其中该对源极/汲极区之一与该感光二极体 连接。 12.如申请专利范围第11项所述之高量子效率之影 像感测器,更包括一金属矽化物层,设置于该对源 极/汲极区和该闸极电极表面。 13.如申请专利范围第10项所述之高量子效率之影 像感测器,其中该第一介电层的材质为氮化矽或氮 氧化矽。 14.如申请专利范围第13项所述之高量子效率之影 像感测器,其中该内层介电层的材质为氧化矽。 15.如申请专利范围第10项所述之高量子效率之影 像感测器,其中该感光二极体系由将一N井区设置 于该基底中所构成,且该基底为P型基底。 16.如申请专利范围第10项所述之高量子效率之影 像感测器,其中该感光二极体系由将一P井区设置 于该基底中所构成,且该基底为N型基底。 17.一种高量子效率之影像感测器,包括: 一基底,该基底具有一感光区和一主动区; 一沟槽,设置于该基底中之该感光区; 一感光二极体,设置于该感光区,且设置于该沟槽 之底部水平线下方; 一第一介电层,设置于该感光二极体表面,且与该 感光二极体接触;以及 一内层介电层,设置于该第一介电层上,其中该第 一介电层的折射率介于该内层介电层的折射率与 该感光二极体的折射率之间。 18.如申请专利范围第17项所述之高量子效率之影 像感测器,其中该内层介电层的折射率小于该第一 介电层的折射率,该第一介电层的折射率小于该感 光二极体的折射率。 19.如申请专利范围第17项所述之高量子效率之影 像感测器,更包括一电晶体,设置该主动区,该电晶 体包括一闸极介电层、一闸极电极和一对源极/汲 极区,其中该对源极/汲极区之一与该感光二极体 连接。 20.如申请专利范围第19项所述之高量子效率之影 像感测器,更包括一金属矽化物层,设置于该对源 极/汲极区和该闸极电极表面。 21.如申请专利范围第17项所述之高量子效率之影 像感测器,其中该第一介电层的材质为氮化矽或氮 氧化矽。 22.如申请专利范围第21项所述之高量子效率之影 像感测器,其中该内层介电层的材质为氧化矽。 23.如申请专利范围第17项所述之高量子效率之影 像感测器,其中该感光二极体系由将一N井区设置 于该基底中所构成,且该基底为P型基底。 24.如申请专利范围第17项所述之高量子效率之影 像感测器,其中该感光二极体系由将一P井区设置 于该基底中所构成,且该基底为N型基底。 图式简单说明: 第1图系绘示传统之无自动对准矽化物制程之影像 感测器的剖面图。 第2图系绘示传统与自动对准金属矽化物制程相容 ,且感光二极体设置于浅沟槽隔离结构下方之影像 感测器的剖面图。 第3图系绘示传统与自动对准金属矽化物制程及无 边界接触窗制程相容,且感光二极体设置于浅沟槽 隔离结构下方之影像感测器的剖面图。 第4图系绘示根据本发明一第一实施例之一种影像 感测器的剖面图。 第5图系为本发明与传统之感光二极体的量子效率 (QE)对波长之关系图。 第6A图至第6C图为一系列之剖面图,其说明本发明 一较佳实施例之一种与互补金氧半导体制程和无 边界接触窗制程相容之影像感测器的制造流程。 |
