发明名称 |
金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统及方法 |
摘要 |
本发明提供一种金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统,该系统包括:一计算机主机、至少一显示装置及输入装置。显示装置提供一用户使用界面,用户通过输入装置输入的数据可通过显示屏幕显示。计算机主机包括多个软件功能模块,其通过接收输入的厂商提供的数据,自动进行MOS管元件参数的萃取,同时计算出寄生电阻的温度系数以提高仿真的准确度。计算机主机包括:一极性选择模块、一数值接收模块、一数目统计模块、一参数萃取模块及一电路模型生成模块。本发明还揭露一种金属氧化物半导体场效应管的参数萃取方法。通过本发明,其可自动进行MOS管元件参数的萃取,同时计算出寄生电阻的温度系数以提高仿真的准确度。 |
申请公布号 |
CN100389484C |
申请公布日期 |
2008.05.21 |
申请号 |
CN200410091943.6 |
申请日期 |
2004.12.30 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
陈俊仁 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);G06F17/50(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统,其可自动萃取金属氧化物半导体场效应管的参数,并计算出其寄生电阻的温度系数,该系统包括一计算机主机、至少一显示装置及至少一输入装置,其特征在于,该计算机主机包括:一极性选择模块,用于选择金属氧化物半导体场效应管的极性;一数值接收模块,用于接收用户输入的数值;一数目统计模块,用于统计输入的栅极-源极电压及漏极电流变量对应数据的个数,并判断其数目是否相同,还可用于统计输入的漏极-源极导通电阻及接面温度变量对应数据的个数,并判断其数目是否相同;一参数萃取模块,用于根据以上接收的数值进行元件参数的萃取;一电路模型生成模块,根据以上萃取的元件参数生成相应的电路模型。 |
地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |