发明名称 藉由利用于绝缘层上覆矽结构之电浆浸没离子布植制程来活化表面之方法
摘要 提供一种利用于绝缘层上覆矽结构中的促进界面键结能之方法。于一实施例中,此促进界面键结能之方法包含提供一第一基材与一第二基材,其中该第一基材具有一氧化矽层形成于其上,以及定义于其中之一裂面;于该氧化矽层之一表面与该第二基材之一表面,进行一乾式清洁制程;以及将该第一基材之该被清洁过之氧化矽层表面接合于该第二基材之该被清洁过之表面上。
申请公布号 TW200822241 申请公布日期 2008.05.16
申请号 TW096129446 申请日期 2007.08.09
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 萨库瑞希尔P S THAKUR, RANDHIR P.S.;莫非特史帝夫;汉森波欧夫;葛汉纳耶史帝夫
分类号 H01L21/46(2006.01) 主分类号 H01L21/46(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国