形成具有源极侧消除的浮动闸极记忆体晶胞之半导体记忆体阵列的自我对准方法,及由此方法制造的记忆体阵列

摘要

一种形成数个浮动闸极记忆体晶胞之阵列的方法,以及一种用该方法形成的阵列,其中记忆体晶胞各包含:一由一具有第一导电型之半导体材料构成的基板、形成于该基板中的源极及汲极区、一由配置于该源极上方且与它电气连接之导电材料构成的块体、以及一浮动闸极,该浮动闸极系具有配置于该源极区上方且与它绝缘的第一部份以及配置于该通道区上方且与它绝缘的第二部份。该浮动闸极第一部份包含会合于一锐边的倾斜上表面与侧面。有一导电控制闸极配置于该通道区上方且与它绝缘用以控制彼之导电系数。