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Eine Halbleiterspeichereinrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat (4), eine Mehrzahl von ersten Leitbahnen (7), eine Mehrzahl von zweiten Leiterbahnen (8) und eine Mehrzahl von Speicherzellen (1). Die zweiten Leitbahnen (8) umfassen dotierte Gebiete (2) innerhalb des Substrates (4) und haben eine Weite w2 und eine Tiefe d2. Das Verhältnis der Tiefe d2 zur Weite w2 ist größer als 1. Eine Halbleiterstruktur umfasst ein Halbleitersubstrat (4), ein dotiertes Gebiet (2) und einen Ladungsträgerhaftbereich (14) unterhalb des dotierten Gebietes (2) und an das dotierte Gebiet (2) angrenzend. Eine Halbleiterspeichereinrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat (4), eine Mehrzahl von ersten Leitbahnen (7), eine Mehrzahl von zweiten Leitbahnen (8), eine Mehrzahl von Ladungsträgerhaftbereichen (14) und eine Mehrzahl von Speicherzellen (1). Die zweiten Leitbahnen (8) sind als dotierte Gebiete (2) innerhalb des Substrates (4) ausgebildet, wobei die Ladungsträgerhaftbereiche (14) unterhalb der jeweiligen dotierten Gebiete (2) angeordnet sind und an diese jeweiligen dotierten Gebiete (2) angrenzen. Es werden Verfahren zur Herstellung der Halbleiterstruktur und der Halbleiterspeichereinrichtungen bereitgestellt.
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