集成电路及其制造方法

摘要

一种集成电路的制造方法，该集成电路包括具有电荷储存节点的一存储器，电荷储存节点部分配置于半导体基底的沟槽中，存储器包括晶体管，其包括第一源极/漏极区，该第一源极/漏极区电性耦合于该电荷储存节点，第一源极/漏极区位于该沟槽内的一第一侧边但不位于一第二侧边，该制造方法包括：于半导体基底中形成沟槽；形成第一构件以遮盖沟槽的一部分，该部分邻接于沟槽的第二侧边；形成导体材料，导体材料至少提供电荷储存节点的一部分，电荷储存节点的该部分靠近该第一源极/漏极区的一位置，导体材料通过第一构件与邻接于沟槽内的第二侧边的沟槽的一部分阻隔；以及完成晶体管。本发明还涉及一种集成电路。

主权项

1.一种集成电路的制造方法，该集成电路包括具有可导电的一电荷储存节点的一存储器，该电荷储存节点至少部分配置于一半导体基底的一沟槽中，该存储器包括一晶体管，其包括位于该半导体基底中的一第一源极/漏极区，该第一源极/漏极区电性耦合于该电荷储存节点，该第一源极/漏极区位于该沟槽内的一第一侧边但不位于一第二侧边，该制造方法包括：于该半导体基底中形成该沟槽；形成一第一构件以遮盖该沟槽的一部分，该部分邻接于该沟槽的该第二侧边；形成一导体材料，该导体材料至少提供该电荷储存节点的一部分，该电荷储存节点的该部分靠近该第一源极/漏极区的一位置，该导体材料通过该第一构件与邻接于该沟槽内的该第二侧边的该沟槽的一部分阻隔；以及完成该晶体管。