发明名称 |
像素结构 |
摘要 |
本发明公开了一种像素结构,其包括基板、扫描线、栅绝缘层、半导体层、数据线、源极、漏极、保护层及像素电极。扫描线配置于基板上。栅绝缘层覆盖扫描线及基板。半导体层配置于栅绝缘层上。数据线、源极与漏极配置于半导体层上,且源极与漏极位于扫描线上方。源极与数据线连接。源极与漏极所暴露出的半导体层为沟道区。源极沿着沟道区的长轴方向突出于沟道区。保护层覆盖在基板上方,且具有接触窗开口,其暴露出部分漏极。像素电极配置于保护层上,并经由接触窗开口与漏极电性连接。由于沟道区边缘内缩的情况能够获得改善,因此此像素结构具有较佳的电性品质。 |
申请公布号 |
CN101179081A |
申请公布日期 |
2008.05.14 |
申请号 |
CN200610146449.4 |
申请日期 |
2006.11.06 |
申请人 |
中华映管股份有限公司 |
发明人 |
刘梦骐;濮家铨;彭剑英 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/417(2006.01);G03F1/14(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
1.一种像素结构,包括:一基板;一扫描线,配置于该基板上;一栅绝缘层,覆盖该扫描线及该基板;一半导体层,配置于该栅绝缘层上;一数据线,配置于该半导体层上;一源极与一漏极,配置于该半导体层上,并位于该扫描线上方,而该源极与该数据线连接,且该源极与该漏极所暴露出的该半导体层为一沟道区,其中该源极沿着该沟道区的长轴方向突出于该沟道区;一保护层,覆盖该数据线、该源极、该漏极、该半导体层与该栅绝缘层,且该保护层具有一接触窗开口,其暴露出部分该漏极;以及一像素电极,配置于该保护层上,并经由该接触窗开口与该漏极电性连接。 |
地址 |
台湾省台北市中山北路三段二十二号 |