| 发明名称 | 具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。 | ||
| 申请公布号 | CN100388488C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200510092232.5 | 申请日期 | 2005.07.06 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑镛国;元皙俊;权大振;宋珉宇;金元洪 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L29/92(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种具有混合电介质层的半导体集成电路器件，混合电介质层包括：包含Hf或Zr的下电介质层；在下电介质层上的中间电介质层，中间电介质层随着电压的变化而产生的电容变化比下电介质层的低；和在中间电介质层上的上电介质层，上电介质层包含Hf或Zr。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||