| 发明名称 | 用于屏蔽有害辐射的装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 这里公开了一种用于屏蔽有害辐射的装置，其包括各向异性磁体。在该装置中，磁体具有朝向有害辐射的发射源取向的S极以及朝向保护目标取向的N极，由此通过使用从N极发射到S极的磁通量，屏蔽所述目标使其免受有害辐射的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101180685A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200680017336.2 | 申请日期 | 2006.05.19 |
| 申请人 | 裴秉根 | 发明人 | 裴秉根 |
| 分类号 | G21F1/00(2006.01) | 主分类号 | G21F1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人 | 江怀勤;吴兰柱 |
| 主权项 | 1.一种用于屏蔽有害辐射的装置，包括各向异性磁体，其中所述磁体具有朝向有害辐射的发射源取向的南(S)极以及朝向保护目标取向的北(N)极，由此通过使用从N极发射到S极的磁通量，屏蔽所述目标使其免受有害辐射的影响。 | ||
| 地址 | 韩国浦项市 | ||