| 发明名称 | 单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种单晶硅太阳能电池的表面结构，它包括电池本体，其特征在于：在所述电池本体的表面间隔设置有倒金字塔，在所述倒金字塔之间的平面间隔上设置有由若干正金字塔组成的正金字塔区。这种电池表面的制作方法包括以下步骤：(1)在硅片表面生成厚度为1000～3000埃的氧化层；(2)在氧化硅的表面进行光刻，形成所需的倒金字塔窗口；(3)对硅片进行腐蚀，形成倒金字塔；(4)去除残余氧化硅；(5)对硅片进行腐蚀，在倒金字塔之间的平面上随机形成正金字塔。本发明由于采用表面正金字塔和倒金字塔结合的方式，可以最低限度地降低太阳能电池表面的反射率，提高电池的短路电流，同时采用本发明方法，使用普通的光刻机就可以加工，促进了倒金字塔的制作从实验室中走出，走向产业化。本发明可以广泛用于单晶硅太阳能电池的生产中。 | ||
| 申请公布号 | CN100388511C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN02155236.3 | 申请日期 | 2002.12.10 |
| 申请人 | 北京力诺桑普光伏高科技有限公司 | 发明人 | 莫春东;李仲明;张瑶;何少琪;李海滨 |
| 分类号 | H01L31/0236(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/0236(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐宁 |
| 主权项 | 1.一种单晶硅太阳能电池的表面结构，它包括电池本体，其特征在于：在所述电池本体的表面间隔设置有倒金字塔，在所述倒金字塔之间的平面间隔上设置有由若干正金字塔组成的正金字塔区。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区花园路3号 | ||