用于保护对准标记的方法

摘要

本发明公开了一种用于保护在半导体衬底上的对准标记的方法，其包括在具有对准标记的半导体衬底上面形成介电层，在该介电层上面形成覆盖氧化物薄膜，其中该覆盖氧化物薄膜形成为具有常规厚度和附加厚度，刻蚀该介电层的一部分和该覆盖氧化物薄膜以暴露所述半导体衬底从而形成通孔，用金属填充该通孔，以及对该金属和该覆盖氧化物薄膜执行化学机械抛光处理以形成通孔接触。

主权项

1.一种方法，包括：形成半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成对准标记；在所述半导体衬底上方形成介电层；以及在所述介电层上方形成覆盖氧化物薄膜，其中所述覆盖氧化物薄膜具有的厚度配置为在平坦化处理期间使所述对准标记的降级最小化。