| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件包括：包括有单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅，以及在所述外围电路区上的外围电路栅极，其中所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及所述外围电路栅极包括所述半导体衬底上的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的半导体层、所述半导体层上的欧姆层以及所述欧姆层上的导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101179077A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200710165725.6 | 申请日期 | 2007.11.06 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 田尚勋;姜昌锡;崔正达;朴镇泽;孙雄喜;郑元晳 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器件，包括：包括单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅；以及在所述外围电路区上的外围电路栅，其中：所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及所述外围电路栅极包括所述半导体衬底上的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的半导体层、所述半导体层上的欧姆层以及所述欧姆层上的导电层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||