| 发明名称 | 形成沟槽电容于衬底的方法及沟槽电容 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽电容的形成方法及沟槽电容，该方法包括：去除一衬底的一部分以形成一沟槽于一衬底中；形成一埋入隔离层于衬底中；形成一沟槽电容的第一电极于衬底中，其至少位于沟槽较低的部分的周围区域；形成一沟槽电容的介电层；及形成一沟槽电容的第二电极于沟槽中。埋入隔离层与沟槽相交，并且埋入隔离层具有一或多个缺口以提供埋入隔离层以上的第一衬底区以及埋入隔离层以下的第二衬底区之间的本体接触。 | ||
| 申请公布号 | CN100388419C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200510118408.X | 申请日期 | 2005.10.28 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 李岳川;董明圣 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L29/92(2006.01);H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种形成沟槽电容于衬底的方法，包括：去除该衬底的一部分以形成一沟槽于该衬底中；形成至少一埋入隔离层于该衬底中，其中该埋入隔离层与该沟槽相交，并且该埋入隔离层具有至少一缺口以提供该埋入隔离层以上的第一衬底区以及该埋入隔离层以下的第二衬底区之间的本体接触；形成一沟槽电容的第一电极于该衬底中，其位置至少于该沟槽较低的部分的周围区域；形成一沟槽电容的介电层，该介电层覆盖于该沟槽的一表面，其位置至少于该埋入隔离层以下的部分；及形成一沟槽电容的第二电极于该沟槽中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园 | ||