| 发明名称 | 一种新型集成电路测试结构及其使用方法 | ||
| 摘要 | 本发明公布了一种集成电路测试结构以及基于该结构的一种使用方法，该结构包含NMOS晶体管、第一压焊块和第二压焊块两个压焊块、二极管以及保险丝，使用该结构时，在不需要在栅极施加负电压时，直接将需要施加在栅极的电压施加在第一压焊块上，在需要在栅极施加负电压时，先将保险丝熔断，再将负电压施加在第二压焊块上。 | ||
| 申请公布号 | CN101178423A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200610118023.8 | 申请日期 | 2006.11.07 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 于俊飞;龚斌;陈晨;赵永 |
| 分类号 | G01R31/00(2006.01);G01R31/28(2006.01);G01R1/02(2006.01) | 主分类号 | G01R31/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 1.一种集成电路测试结构，包含NMOS晶体管、第一压焊块和第二压焊块两个压焊块、二极管以及保险丝，其特征在于，上述NMOS晶体管的栅极连接到上述第二压焊块上，该第二压焊块通过保险丝与互连线与第一压焊块相连，上述的二极管一端接衬底，另一端接在第一压焊块与保险丝之间的互连线上。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||