| 主权项 |
1.一种导线与介电材料结构失效的检测装置,其中 该些导线和该介电层材料至少形成一第一内部电 容和一第二内部电容,且该第一内部电容之一端与 该第二内部电容之一端互相电性连接,而该检测装 置包括: 一第一外部电容,与该第一内部电容未电性连接该 第二内部电容的一端互相电性连接; 一第二外部电容,分别电性连接该第一外部电容和 该第二内部电容,以使该第一内部电容、该第二内 部电容、该第一外部电容和该第二外部电容形成 一电桥电路,其中该第一外部电容和该第二外部电 容之比値,等于该第一内部电容与该第二内部电容 之预设比値; 一电源供应器,具有一正极端和一负极端,分别电 性连接至该第一内部电容与该第一外部电容所电 性连接之节点,以及该第二内部电容与该第二外部 电容所电性连接之节点;以及 一电压计,用以量测该第一外部电容和该第二外部 电容所电性连接之节点,与该第一内部电容和该第 二内部电容所电性连接之节点二者之间的电位差 。 2.如申请专利范围第1项所述之导线与介电材料结 构失效的检测装置,其中该导线的材料包括铜。 3.如申请专利范围第1项所述之导线与介电材料结 构失效的检测装置,其中该介电材料为低介电常数 材料。 4.如申请专利范围第1项所述之导线与介电材料结 构失效的检测装置,系适用于一半导体元件。 5.如申请专利范围第1项所述之导线与介电材料结 构失效的检测装置,系适用于一电路板。 6.如申请专利范围第1项所述之导线与介电材料结 构失效的检测装置,系适用于一晶圆。 7.一种导线与介电材料结构失效的检测方法,其中 该些导线和该介电层材料至少形成一第一内部电 容和一第二内部电容,而该检测方法包括下列步骤 : 提供一第一外部电容和一第二外部电容,且该第一 外部电容和该第二外部电容之间的比値,等于该第 一内部电容与该第二内部电容之间的预设比値; 将该第一外部电容、该第二外部电容、该第一内 部电容和该第二内部电容设计为一电桥电路; 施加一偏压至该电桥电路;以及 依据该电桥电路内之电压,来判断该些导线与该介 电材料之间是否有缺陷。 8.如申请专利范围第7项所述之导线与介电材料结 构失效的检测方法,其中判断该些导线与该介电材 料之间是否有缺陷之步骤,包括下列步骤; 当该电桥电路内之电压等于一特征电压时,则判断 该些导线与该介电材料之间没有缺陷;以及 当该电桥电路内之电压不等于该特征电压时,则判 断该些导线与该介电材料有缺陷。 9.如申请专利范围第8项所述之导线与介电材料结 构失效的检测方法,其中该特征电压等于0。 10.如申请专利范围第7项所述之导线与介电材料结 构失效的检测方法,其中组成该电桥电路之步骤, 包括下列步骤: 将该第一内部电容之一端,与该第二内部电容之一 端彼此互相电性连接; 将该第一内部电容未电性连接该第二内部电容之 一端与该第一外部电容之一端; 将该第一外部电容未电性连接该第一内部电容之 一端与该第二外部电容之一端彼此互相电性连接; 以及 将该第二外部电容未电性连接该第一外部电容之 一端与该第二内部电容之一端彼此互相电性连接; 以及 施加一直流电压至该第一内部电容与该第一外部 电容,以及该第二内部电容与该第二外部电容所电 性连接之节点之间。 11.如申请专利范围第7项所述之导线与介电材料结 构失效的检测方法,其中施加该偏压至该电桥电路 之步骤,包括将该偏压施加在该第一内部电容与该 第一外部电容所电性连接之节点,以及该第二内部 电容与该第二外部电容所电性连接之节点上。 12.如申请专利范围第7项所述之导线与介电材料结 构失效的检测方法,其中量测该电桥电路内之电压 的步骤,包括量测该第一内部电容与该第二内部电 容,以及该第一外部电容与该第二外部电容所电性 连接之节点之间的电压差。 13.如申请专利范围第7项所述之导线与介电材料结 构失效的检测方法,其中该介电材料包括低介电常 数材料。 14.如申请专利范围第7项所述之导线与介电材料结 构失效的检测方法,其中该导线包括铜。 图式简单说明: 图1绘示了一种习知之晶片上内接式制程参数的检 测方法之示意图。 图2A绘示一种由导线与介电材料所形成之结构的 图。 图2B绘示图2A之结构的剖面图。 图2C绘示一种导线与介电材料失效的示意图。 图2D绘示另一种导线与介电材料失效的示意图。 图3绘示依照本发明之一较佳实施例的一种导线与 介电材料所形成之结构与检测装置之连接关系的 示意图。 图4绘示依照本发明之一较佳实施例的一种导线与 介电材料结构失效之检测方法的步骤流程图。 图5绘示图3之检测电路与内部电容的等效电路图 。 |
