| 主权项 |
1.一种浮置闸极的制造方法,包括: 提供一基底,该基底上已形成有一介电层、一第一 导体层与一罩幕层; 于该罩幕层、该第一导体层、该介电层与该基底 中形成多个隔离结构; 进行一罩幕层部分移除步骤,该步骤包括: 移除部分该罩幕层; 移除部分该些隔离结构,该些隔离结构的顶面高于 该第一导体层顶面; 移除剩余之该罩幕层;以及 于该基底上形成一第二导体层,填满该些隔离结构 之间的间隙。 2.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的制造方 法,更包括于移除剩余之该罩幕层之前,重复该罩 幕层部分移除步骤多数次。 3.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的制造方 法,其中移除部分该罩幕层的方法包括湿式蚀刻法 。 4.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的制造方 法,其中移除部分该些隔离结构的方法包括以剩余 之该罩幕层为罩幕,进行一湿式蚀刻法。 5.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的制造方 法,更包括于形成该第二导体层之后,移除部分该 些隔离结构,使该些隔离结构的顶面低于该第二导 体层顶面。 6.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的制造方 法,其中形成该第二导体层的方法包括: 于该基底上形成一导体材料层,覆盖住该些隔离结 构;以及 移除该些隔离结构上之该导体材料层。 7.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中移除该些隔离结构上之该导体材料 层的方法更包括以该些隔离结构为蚀刻终止层,进 行化学机械研磨制程。 8.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的制造方 法,其中该罩幕层的厚度为1000埃左右。 9.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的制造方 法,其中该罩幕层的材质包括氮化矽、碳化矽或氮 碳化矽。 10.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的制造方 法,其中该第一导体层的材质包括非晶矽。 11.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的制造方 法,其中该第二导体层的材质包括掺杂多晶矽。 12.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括: 提供一基底,该基底上已形成有一介电层、一第一 导体层与一罩幕层; 于该罩幕层、该第一导体层、该介电层与该基底 中形成多个隔离结构; 进行一罩幕层部分移除步骤,该步骤包括: 移除部分该罩幕层; 以剩余之该罩幕层为罩幕,移除部分该些隔离结构 ,该些隔离结构的顶面高于该第一导体层顶面; 移除剩余之该罩幕层; 于该基底上形成一第二导体层,填满该些隔离结构 之间的间隙; 于该第二导体层上形成一闸间介电层;以及 于该基底上形成一第三导体层。 13.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,更包括于移除剩余之该罩幕层之前, 重复该罩幕层部分移除步骤多数次。 14.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中移除部分该罩幕层的方法包括湿 式蚀刻法。 15.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中移除部分该些隔离结构的方法包 括湿式蚀刻法。 16.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,更包括于形成该第二导体层之后、形 成该闸间介电层之前,移除部分该些隔离结构,使 该些隔离结构的顶面低于该第二导体层顶面。 17.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中形成该第二导体层的方法包括: 于该基底上形成一导体材料层,覆盖住该些隔离结 构;以及 移除该些隔离结构上之该导体材料层。 18.如申请专利范围第17项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中移除该些隔离结构上之该导体材 料层的方法更包括以该些隔离结构为蚀刻终止层, 进行化学机械研磨制程。 19.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该罩幕层的厚度为1000埃左右。 20.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该罩幕层的材质包括氮化矽、碳 化矽或氮碳化矽。 21.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该第一导体层的材质包括非晶矽 。 22.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该闸间介电层的材质包括氧化矽 -氮化矽-氧化矽。 图式简单说明: 图1A至图1F是绘示之本发明一实施例之非挥发性记 忆体的制造流程剖面图。 |
