| 主权项 |
1.一种像素电路,系具有: 一端连接于资料线,且对控制端输入选择信号的选 择电晶体; 一端连接于上述选择电晶体之另一端,且控制端连 接于预定电压之第1电源的修正电晶体; 控制端连接于上述修正电晶体之另一端,一端连接 于作为电流供应源之第2电源的驱动电晶体; 一端连接于上述驱动电晶体的控制端,另一端连接 于脉冲电压线的保持电容;以及 利用流通于上述驱动电晶体的电流而发光的发光 元件; 在利用变更上述脉冲电压线的电压値而导通上述 驱动电晶体的过程中,变更上述修正电晶体的导通 不导通,藉此控制驱动电晶体导通时的控制端电压 ,同时 上述驱动电晶体与上述修正电晶体系形成邻接状 态。 2.如申请专利范围第1项之像素电路,其中,上述资 料线与电源线系朝垂直方向延伸,且上述修正电晶 体系形成于上述资料线与电源线之间。 3.如申请专利范围第2项之像素电路,其中,上述驱 动电晶体系夹介着上述电源线,而形成于上述修正 电晶体的相反侧。 4.如申请专利范围第1项之像素电路,其中,在将上 述选择电晶体导通的状态下,对资料线供应使修正 电晶体导通的资料电压,并将对应资料电压的电压 保持在驱动电晶体之控制端,然后,使上述选择电 晶体不导通,在此状态下,使脉冲电压线的电压产 生变化,且使驱动电晶体的控制端电压移位,藉此 使修正电晶体不导通,同时使驱动电晶体导通,且 使对应资料电压的电流流通于驱动电晶体。 5.如申请专利范围第1项之像素电路,其中,上述第1 电源与第2电源系同一电源。 6.如申请专利范围第1项之像素电路,其中,上述修 正电晶体与驱动电晶体系p通道电晶体;上述脉冲 电压线系在上述选择电晶体不导通之后,从高位准 变化成低位准。 7.如申请专利范围第1项之像素电路,其中,上述修 正电晶体与上述驱动电晶体的主动层,均由经多结 晶化雷射退火而获得的多结晶半导体所构成; 上述修正电晶体之通道长度方向与上述驱动电晶 体之通道长度方向,系相对于上述多结晶化雷射退 火时所照射的线状脉冲雷射的扫描方向,配置成平 行状,且上述修正电晶体的通道区域与上述驱动电 晶体的通道区域,均为至少其中一部份系位于朝上 述脉冲雷射扫描方向的交叉方向延伸出的同一直 线上。 8.一种显示装置,系复数个像素排列成矩阵状的显 示装置,而各像素系具有: 因应供应电力进行动作的显示元件; 第1导电区域连接于资料线,并对控制端输入选择 信号的选择电晶体; 第1导电区域连接于电源线,将电力供应给上述显 示元件的驱动电晶体; 控制端连接于预定电压的第1电源,第1导电区域连 接于上述选择电晶体的第2导电区域,第2导电区域 连接于上述驱动电晶体之控制端的修正电晶体;以 及, 第1电极连接于上述驱动电晶体之控制端与上述修 正电晶体之第2导电区域,第2电极连接于脉冲电压 线的保持电容; 上述修正电晶体系因应其动作临限値,而 对应上述脉冲电压线的电压变动,改变上述驱动电 晶体的控制端电压,据此而控制当上述驱动电晶体 呈导通状态时的上述控制端电压; 上述修正电晶体与上述驱动电晶体系由同一导电 型电晶体所构成; 且上述修正电晶体与上述驱动电晶体之至少通道 区域,均由经雷射退火而多结晶化的半导体层所构 成,该通道区域相互接近配置。 9.如申请专利范围第8项之显示装置,其中,上述修 正电晶体的通道长度方向与上述驱动电晶体的通 道长度方向,系相对于上述多结晶化雷射退火时所 照射之线状脉冲雷射的扫描方向,配置成平行状, 且上述修正电晶体的通道区域与上述驱动电晶体 的通道区域,均至少一部份位于上述脉冲雷射扫描 方向正交方向所拉出的同一线上。 10.一种显示装置,系复数个像素排列成矩阵状的显 示装置,而各像素系具有: 因应供应电力进行动作的显示元件; 第1导电区域连接于资料线,并对控制端输入选择 信号的选择电晶体; 第1导电区域连接于电源线,将电力供应给上述显 示元件的驱动电晶体; 控制端连接于预定电压的第1电源,第1导电区域连 接于上述选择电晶体的第2导电区域,第2导电区域 连接于上述驱动电晶体之控制端的修正电晶体;以 及, 第1电极连接于上述驱动电晶体之控制端与上述修 正电晶体之第2导电区域,第2电极连接于脉冲电压 线的保持电容; 上述修正电晶体系因应其动作临限値,而 对应上述脉冲电压线的电压变动,改变上述驱动电 晶体的控制端电压,据此而控制当上述驱动电晶体 呈导通状态时的上述控制端电压; 上述修正电晶体与上述驱动电晶体系由同一导电 型电晶体所构成; 且,上述修正电晶体的主动层的至少一部份系在层 间夹介着绝缘层并形成于上述电源线之下层位置 。 11.如申请专利范围第10项之显示装置,其中,上述第 1电源系兼用电源线; 在上述修正电晶体之主动层与上述电源线的层间 系形成有连接于上述电源线的上述修正电晶体之 控制电极。 12.如申请专利范围第8至11项中任一项之显示装置, 其中,上述修正电晶体的通道区域系具备有在其通 道长度方向,通道宽度互异的部分。 13.如申请专利范围第8至11项中任一项之显示装置, 其中,上述修正电晶体系具备有在上述资料线与上 述电源线的线间,至少与其中一方的线以部份重叠 的方式延伸而形成的主动层。 图式简单说明: 第1图系本发明实施形态的像素电路构造图。 第2图系本发明实施形态中,对闸极线GL、电容线SC 所施加信号的时序图。 第3图系本发明实施形态的闸极电压Vg24变化状态 图。 第4图系本发明实施形态的像素电路中,所存在电 容的说明图。 第5图系本发明实施形态的像素平面构造一例图。 第6图(a)及(b)系沿第5图A-A线与B-B线的概略剖视构 造图。 第7图系本发明实施形态中,将修正TFT多闸极化时, 平均每1像素的等效电路图。 第8图系实现第7图所示等效电路的布局一例概略 平面图。 第9图系本发明实施形态中,将选择TFT与修正TFT二 者施行多闸极化时的等效电路图。 第10图系实现第9图所示等效电路的布局一例图。 第11图系第10图所示布局的另一例图。 第12图系本发明实施形态的再另一例电路构造图 。 第13图系习知像素电路构造图。 |
