| 发明名称 | 自对准堆叠栅极及其制造方法 | ||
| 摘要 | 于一非挥发性存储体中，提供一种自对准堆叠栅极的制造方法，包含下列步骤a)提供一衬底；b)于衬底上依序形成一第一介电层、一第一导电层以及一屏蔽层；c)部份蚀刻屏蔽层、第一导电层、第一介电层以及衬底，以形成一浅沟渠；d)以一第二介电层填满浅沟渠以形成一浅沟渠隔离(shallowtrench isolation，STI)单元，并移除屏蔽层；e)全面形成一第二导电层；f)部份蚀刻第二导电层以于第一导电层上形成一侧壁；g)部份移除浅沟渠隔离单元以暴露部份的第二导电层与第一导电层的侧壁；h)依序沉积一第三介电层与一第三导电层；以及i)部份蚀刻第三导电层，即可获得具高耦合比(coupling ratio)的自对准堆叠栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN101174560A | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200610136602.5 | 申请日期 | 2006.10.31 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 张格荥;张骕远 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种自对准堆叠栅极的制造方法，包含下列步骤：a)提供一衬底；b)于该衬底上依序形成一第一介电层、一第一导电层以及一屏蔽层；c)部份蚀刻该屏蔽层、该第一导电层、该第一介电层以及该衬底，以形成一浅沟渠；d)以一第二介电层填满该浅沟渠以形成一浅沟渠隔离单元，并移除该屏蔽层；e)全面形成一第二导电层；f)部份蚀刻该第二导电层以于该第一导电层上形成一侧壁；g)部份移除该浅沟渠隔离单元以暴露部份的该第二导电层与该第一导电层的侧壁；h)依序沉积一第三介电层与一第三导电层；以及i)部份蚀刻该第三导电层，即可得该自对准堆叠栅极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||