分离栅极快闪存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种分离栅极快闪存储器的制造方法，先提供基底，包括存储单元、高压电路区及低压电路区。接着，于高压电路区中的基底上形成第一氧化层。然后，于低压电路区中的基底上形成第二氧化层。接下来，于第一氧化层与第二氧化层上形成第一导体层。之后，于存储单元中的基底上形成穿隧氧化层。随后，于穿隧介电层上形成堆叠栅极结构。继之，于存储单元中的基底上形成共形的第三氧化层。再者，于第三氧化层上形成第二导体层。随后，移除部份第二导体层。接着，图案化第一导体层，以于形成高压元件的栅极及低压元件的栅极。

主权项

1.一种分离栅极快闪存储器的制造方法，包括：提供一基底，包括一存储单元、一高压电路区及一低压电路区，且该基底中已形成有多个隔离结构；于该高压电路区中的该基底上形成一第一氧化层；于该低压电路区中的该基底上形成一第二氧化层；于高压电路区中的该第一氧化层与该低压电路区中的该第二氧化层上形成一第一导体层；于该存储单元中的该基底上形成一穿隧氧化层；于该存储单元中的该穿隧介电层上形成多个堆叠栅极结构；于存储单元中的该基底上形成共形的一第三氧化层；于该存储单元中的该第三氧化层上形成一第二导体层；移除该存储单元中的部份该第二导体层；以及图案化该第一导体层，以于该高压电路区中形成多个高压元件的栅极，且于该低压电路区中形成多个低压元件的栅极。