具高耦合率的圆柱型沟道电荷捕获装置

摘要

一存储单元包括：以半导体沟道区所分隔的源极区及漏极区，沟道区是具有面积A1的一沟道表面且包括一第一区，一第一介电结构是位于此沟道表面上，一介电电荷捕获结构是位于第一介电结构上，一第二介电结构是位于介电电荷捕获结构上，一传导层具有一传导表面，此传导表面具有面积A2，传导表面是叠置于介电电荷捕获结构及沟道区的沟道表面，且面积A2与面积A1的比值是大于或等于1.2，以上一并描述于其装置及制造方法之内。

主权项

1.一存储单元，其特征在于，包括：一半导体沟道区，具有一沟道表面， 该沟道表面具有一面积A1，该面积A1包括一第一区；一第一介电结构位于该沟道表面上；一介电电荷捕获结构位于该第一介电结构上；一第二介电结构位于该介电电荷捕获结构上；一传导层具有一传导表面，该传导表面具有一面积A2，该面积A2包括位于该第二介电结构上的一第二区，且该面积A2与该面积A1的比值大于或等于1.2。