| 发明名称 | 用于CMOS静电放电保护的可控硅结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于CMOS静电放电保护的可控硅结构，其可以双向导通，并具有双向回扫特性。本发明所提供的结构是在P型衬底上纵向设置深N阱，在深N阱上沿横向依次平行设置第二N阱、第二P阱、第一N阱、第一P阱、第二N阱，在第二P阱和第一P阱中沿横向分别平行设置P+区和N+区，其中，P+区靠近第二N阱，N+区靠近第一N阱，各P+区和N+区之间以场氧分隔。本发明不仅弥补了传统SCR结构只具有单向的回扫特性的缺点，而且同时满足了集成度的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN101174629A | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200610117732.4 | 申请日期 | 2006.10.30 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 常欣;金锋 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种用于CMOS静电放电保护的可控硅结构，其特征是：在P型衬底上沿纵向设置深N阱，在深N阱上沿横向依次平行设置第二N阱、第二P阱、第一N阱、第一P阱、第二N阱；在第二P阱和第一P阱中沿横向分别平行设置P+区和N+区，其中，P+区靠近第二N阱，N+区靠近第一N阱，各P+区和N+区之间以场氧分隔。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||