| 发明名称 | 半导体用合金材料及半导体芯片的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体用合金材料，其由作为主要组分的Au和不少于3wt％且不多于40wt％的Ag构成。 | ||
| 申请公布号 | CN100386848C | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200380104281.5 | 申请日期 | 2003.10.29 |
| 申请人 | 夏普株式会社;田中贵金属工业株式会社 | 发明人 | 井上和范;石仓千春 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/288(2006.01);H01L21/3205(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/24(2006.01);C22C5/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种半导体用合金材料，所述合金材料直接覆盖Si半导体，所述合金材料由作为主要组分的Au和不少于3wt％且不多于40wt％的Ag构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||