| 主权项 |
1.一种静电夹头,包括: 陶瓷基体; 陶瓷介电体层,形成于前述基体上,在100℃之体积 电阻率为11015cm以上之与前述基体主成分相 同;以及 电极,使静电吸着力发生, 其特征在于: 前述基体系较前述介电体层之热传导率高。 2.如申请专利范围第1项之静电夹头,其中,前述基 体之热传导率为80W/mK以上。 3.如申请专利范围第1或2项之静电夹头,其中,在150 ℃之前述介电体层之体积电阻率为11015cm以 上。 4.如申请专利范围第1或2项之静电夹头,其中,在200 ℃之前述介电体层之体积电阻率为11015cm以 上。 5.如申请专利范围第1或2项之静电夹头,其中,前述 陶瓷,系以氮化铝为主成分。 6.如申请专利范围第5项之静电夹头,其中,前述介 电体层系含有0.4~2.5 wt%之镁与2.0~5.0wt%之钇,前述介 电体层之平均粒径,为1.0m以下。 7.一种静电夹头之制造方法,包括: 形成陶瓷基体之制程、在前述基体上形成在100℃ 之体积电阻率为11015cm以上之与前述陶瓷主 成分相同之陶瓷介电体层之制程;以及 形成使静电吸着力发生之电极的制程, 其特征在于: 前述基体系较前述介电体层之热传导率高。 8.如申请专利范围第7项之静电夹头之制造方法,其 中,前述基体之热传导率为80W/mK以上。 9.如申请专利范围第7或8项之静电夹头之制造方法 ,其中,在150℃之前述介电体层之体积电阻率为11 015cm以上。 10.如申请专利范围第7或8项之静电夹头之制造方 法,其中,在200℃之前述介电体层之体积电阻率为1 1015cm以上。 11.如申请专利范围第7或8项之静电夹头之制造方 法,其中,包括:将前述基体或成为前述基体之第1成 形体、前述介电体层或是成为前述介电体层之第2 成形体、与前述电极,藉由热压法烧成一体之制程 。 图式简单说明: 第1图系与本发明之实施形态有关之静电夹头之剖 面图。 |
