| 摘要 |
本发明系提供一种沿着砷化镓(GaAs)晶圆之沟道照射雷射光进行消熔加工,藉此以沿着沟道切断砷化镓(GaAs)晶圆时,可藉照射雷射光使产生之碎屑附着于切断面之砷化镓晶圆之雷射加工方法。前述砷化镓晶圆之雷射加工方法,系沿着在砷化镓晶圆之表面形成格子状之沟道照射雷射光线,并沿着沟道切断砷化镓晶圆者,且前述雷射加工方法包含有:晶圆支持步骤,系将砷化镓基板之里面贴着于保护构材者;碎屑遮蔽膜被覆步骤,系于砷化镓基板之表面上被覆碎屑遮蔽膜者;雷射加工沟形成步骤,系在砷化镓基板上,由该碎屑遮蔽膜侧沿着沟道照射雷射光线,形成不及于里面之雷射加工沟者;及切断步骤,系于砷化镓基板上沿着该雷射加工沟照射雷射光线,并沿着该雷射加工沟形成及于里面之切断沟者。 |
