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发明名称
溅镀方法及使用于该方法之溅镀标靶
摘要
本发明是提供能够一面减少电弧放电(arcing),一面形成膜厚均等性优异的溅镀膜之溅镀方法及溅镀标靶。将具备有厚壁部、薄壁部以及该两壁部间的倾斜部之溅镀标靶,以厚壁部和薄壁部分别对应于侵蚀区域和非侵蚀区域的方式,配置在磁控管溅镀装置内。此处,形成为至少1个倾斜部横跨在侵蚀区域和非侵蚀区域的两区域,而且,在侵蚀区域/非侵蚀区域的交界线上,以薄壁部的表面为基准,具有0.3~2.0 mm的高度。然后,进行溅镀操作。
申请公布号
TW200819552
申请公布日期
2008.05.01
申请号
TW096125734
申请日期
2007.07.13
申请人
三井金属业股份有限公司
发明人
濑户康博;林博光
分类号
C23C14/35(2006.01);C23C14/54(2006.01)
主分类号
C23C14/35(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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