| 主权项 |
1.一种改质含氟基材的方法,该改质含氟基材的方 法包含: 提供一含氟基材; 对该含氟基材进行一氢气电浆处理以形成一中间 物; 与对该中间物进行一臭氧处理以形成一第一改质 含氟基材。 2.如申请专利范围第1项之改质含氟基材的方法,其 中上述之氢气电浆处理系导入C-H团基于该含氟基 材表面上,藉此形成该中间物。 3.如申请专利范围第2项之改质含氟基材的方法,其 中上述之中间物表面之C-H团基系作为臭氧反应活 性点,并与臭氧反应形成过氧化物团基(peroxide)。 4.如申请专利范围第3项之改质含氟基材的方法,其 中上述之过氧化物团基包含alkyl-peroxide与hydroxyl- peroxide。 5.如申请专利范围第1项之改质含氟基材的方法,其 中上述之含氟基材包含下列族群中之任一者或其 任意组合:poly(tetrafluoroethylene)(PTFE),copolymers of tetrafluoroethylene and hexafluoropropylene,copolymers of tetrafluoroethylene and perfluoro(propyl vinyl ether),copolymers of tetrafluoroethylene and perfluoro-2,3-dimethyl-1,3-dioxole, copolymers of tetrafluoroethylene and vinyl fluoride,poly(vinyl fluoride),poly(vinylidene fluoride),polychlorotrifluorethylene, vinyl fluoride/vinylidene fluoride copoly mers,and vinylidene fluoride/hexafluoroethylene copolymers。 6.如申请专利范围第1项之改质含氟基材的方法,其 中上述之含氟基材的型态系选自下列族群中之一 者:薄膜(film)、薄板(sheet)、厚板(slab)、纤维(fiber) 、棒状(rod)、粉末(powder)、复合膜(composite membrane) 或多孔膜(porous membrane)。 7.如申请专利范围第1项之改质含氟基材的方法,其 中上述之氢气电浆处理之功率范围约为10W至70W。 8.如申请专利范围第1项之改质含氟基材的方法,其 中上述之氢气电浆处理时间范围约为5秒至300秒。 9.如申请专利范围第1项之改质含氟基材的方法,其 中上述之氢气电浆处理之频率范围约为5 kHz至50 kHz。 10.如申请专利范围第1项之改质含氟基材的方法, 其中上述之臭氧处理系使用臭氧/氧气混合流体。 11.如申请专利范围第10项之改质含氟基材的方法, 其中上述之臭氧浓度范围约为5 g/m3至50 g/m3。 12.如申请专利范围第1项之改质含氟基材的方法, 其中上述之臭氧处理时间范围约为5分钟至30分钟 。 13.如申请专利范围第1项之改质含氟基材的方法, 更包含对该第一改质含氟基材进行一接枝聚合反 应,该接枝聚合反应系在一包含至少一功能性单体 之化学组成下进行,藉此形成一第二改质含氟基材 。 14.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之接枝聚合反应进行时不需另外添加起 始剂。 15.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之接枝聚合反应之温度低于含氟基材之 熔点或其烧结温度(sintering temperature)。 16.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之接枝聚合反应包含活性自由基聚合反 应(controlled/living free radical polymerization)。 17.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之接枝聚合反应温度高于70℃。 18.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之接枝聚合反应系在大气压力下进行。 19.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之功能性单体包含具有至少一个乙烯基( vinyl group)之单体或具有至少一个丙烯基(allyl group) 之单体。 20.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之功能性单体包含下列族群中之一者: hydroxy methacrylate, amine methacrylate, hydroxylethyl acrylate , N-hydroxylmethylmethacrylamide, acrylamide(AAm), acrylic acid (AAc), glycidyl methacrylate(GMA), 2-(2-bromoisobutyryloxy)ethyl acrylate(BIEA), sodium 4-styrenesulfonate(NaSS)及其衍生物 。 21.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之功能性单体系为sodium 4-styrenesulfonate( NaSS),且该改质含氟基材的方法更包含一质子化处 理(protonization treatment)以转换磺酸钠团基(sodium sulfonate group)成为磺酸团基(hydrogen sulfonate group)。 22.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之功能性单体包含至少一个环氧基,且该 改质含氟基材的方法更包含一硬化反应(curing reaction)以打开环氧基。 23.如申请专利范围第22项之改质含氟基材的方法, 其中上述之硬化剂(curing agent)包含下列族群中之 任一者或其任意组合:具有至少一个羧酸基之化合 物、具有至少一个胺基之化合物与具有至少一个 羟基之化合物。 24.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之功能性单体包含至少一个具有氮异原 子的乙烯基(vinyl group with nitrogen heteroatoms)或至少 一个具有含氮官能基侧链之乙烯基(nitrogen functionalities in the pendant vinyl group)。 25.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之功能性单体包含至少一个具有氮异原 子的丙烯基(allyl group with nitrogen heteroatoms)或至少 一个具有含氮官能基侧链之丙烯基(nitrogen functionalities in the pendant allyl group)。 26.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之功能性单体包含下列族群中之一者:a vinyl-containing monomer, 1-vinyl imidazole,glycidyl methacrylate,allyl glycidyl ether,1-vinyl imidazole(VIDZ),1- allyl imidazole,2-vinyl pyridine (2VP),4-vinyl pyridine(4VP),2,4 ,6-triallyloxy-1,3,5-triazine,1,2,4-trivinylcyclohexane,triallyl -1,3,5-benzenetricarboxylate,an epoxy-containing monomer。 27.如申请专利范围第13项之改质含氟基材的方法, 其中上述之第二改质含氟基材系用于金属积层板( metal-clad laminate)的制造。 28.一种氟系金属积层板的制造方法,该氟系金属积 层板的制造方法包含: 提供一含氟基材与一金属层; 对该含氟基材进行一氢气电浆处理以导入C-H团基 于该含氟基材表面上,藉此形成一第一中间物; 对该第一中间物进行一臭氧处理,其中,该第一中 间物表面之C-H团基系作为臭氧反应活性点,并与臭 氧反应形成过氧化物团基(peroxide)以形成一第二中 间物; 与对该第二中间物进行一接枝聚合反应,该接枝聚 合反应系藉由该第二中间物的过氧化物团基( peroxide)起始,其中,该接枝聚合反应系与一积层程 序同时进行以积层该金属层与该第二中间物,该接 枝聚合反应系于该金属层与该第二中间物之间的 重叠介面进行,且该接枝聚合反应系在一包含至少 一功能性单体之化学组成下进行。 29.如申请专利范围第28项之氟系金属积层板的制 造方法,其中上述之金属包含铜及其合金。 |
