| 摘要 |
一种静电放电(ESD)保护电路使用两个N-通道场效应电晶体(NFET)将ESD电流自一第一电源节点传导至一第二电源节点。在ESD事件期间,一ESD侦测电路经由单独的导电路径将两个NFET之闸极耦接至该第一电源节点。在一新颖态样中,一RC触发电路包括一经由一电阻得以充电之电容。该电阻包括一P-通道电晶体,该P-通道电晶体之闸极系耦接至第二NFET之闸极。在正常供电条件期间,该P-通道电晶体为导电的,藉此防止该RC触发器在电源电压VDD可能会快速升高时触发。在另一新颖态样中,一新颖的位准移动反相器驱动该第二NFET。该位准移动反相器使用一下拉电阻器来避免突返且亦将该第二NFET之闸极与一经电容性加载之第三电源节点隔离。 |
