发明名称 |
全耗尽Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开的一种全耗尽Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构,包括栅极、Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>侧墙,栅极和Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>侧墙下面设置的栅氧化层,栅氧化层的正下方设置有沟道区,沟道区的两边分别设置有源区和漏区,源区、漏区与沟道区接触的内侧设置有扩展区,沟道区、源区和漏区的下方依次为绝缘层和硅衬底,其特点是绝缘层由Air和Air两侧设置的AlN绝缘层组成,Air设置于沟道区的正下方。通过先制备得到硅衬底,在用掩膜对硅片上的硅区进行各向异性,形成中间空余的结构,在使用现有方法实现上部分的结构。该器件结构能同时解决SOI器件中的自加热效应和SOAN器件中的泄漏电流增大和阈值电压漂移问题。 |
申请公布号 |
CN101170134A |
申请公布日期 |
2008.04.30 |
申请号 |
CN200710188439.1 |
申请日期 |
2007.11.30 |
申请人 |
西安理工大学 |
发明人 |
杨媛;高勇;巩鹏亮 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 |
代理人 |
罗笛 |
主权项 |
1.一种全耗尽Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构,包括栅极(1)、栅极(1)两边设置的Si3N4侧墙(2),栅极(1)和Si3N4侧墙(2)的下面设置有栅氧化层(3),栅氧化层(3)的正下方设置有沟道区(7),沟道区(7)的两边分别设置有源区(4)和漏区(5),源区(4)、漏区(5)与沟道区(7)接触的内侧设置有扩展区(6),沟道区(7)、源区(4)和漏区(5)的下方依次为绝缘层和硅衬底(10),其特征在于,所述的绝缘层由空洞层(8)和空洞层(8)两侧设置的AlN绝缘层(9)组成,所述的空洞层(8)设置于沟道区(7)的正下方。 |
地址 |
710048陕西省西安市金花南路5号 |