| 发明名称 | 硅单晶的制造方法及硅片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够获得晶轴方位为[110]的硅片、且位错被完全除去的电阻率低的硅单晶的制造方法以及由通过该方法获得的硅单晶制造晶轴方位为[110]的低电阻硅片的方法。为利用CZ法的硅单晶制造方法，在作为掺杂剂添加有硼且其浓度达到6.25×10<SUP>17</SUP>～2.5×10<SUP>20</SUP>原子/cm<SUP>3</SUP>的硅熔融液中，浸渍中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°、且与在由所述硅熔融液培育的单晶上形成的颈部的硼浓度大致相同浓度的硅晶种，从而培育中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°的硅单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN101168850A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200710148262.2 | 申请日期 | 2007.09.04 |
| 申请人 | 株式会社SUMCO | 发明人 | 稻见修一;井上邦春;诸石学;深川嗣也;草场伸博 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01);C30B15/00(2006.01) | 主分类号 | C30B29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;李炳爱 |
| 主权项 | 1.一种硅单晶的制造方法，其为利用切克劳斯基法的硅单晶的制造方法，其特征在于，在作为掺杂剂添加有硼且其浓度达到6.25×1017～2.5×1020原子/cm3的硅熔融液中，浸渍中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°、且与在由所述硅熔融液培育的单晶上形成的颈部的硼浓度大致相同浓度的硅晶种，从而培育中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°的硅单晶。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||