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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einer Schichtfolge aus zwei metallischen Schichten mit Siliciumanteilen sowie zugehöriges Halbleiterbauelement
摘要
申请公布号 DE19650331(B4) 申请公布日期 2008.04.30
申请号 DE19961050331 申请日期 1996.12.04
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO. LTD. 发明人 YU, SANG HO;KIM, CHUNG TAE
分类号 H01L21/28;H01L21/283;H01L21/768;H01L23/482;H01L23/522 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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