具有平面触点的超级可缩放垂直MOS晶体管

摘要

形成在晶粒或芯片的衬底(11)中的漏极电极(17)上方的掺杂硅方块或岛具有对应于沟道(21、23、25)的所需长度的高度。源极电极(27)形成在所述硅岛上方，且实现从上方的接触(41)。也可从上方接触(43)L形控制栅极(33、35)和次表面漏极。为所构建的垂直晶体管形成针对源极、栅极和漏极的水平触点阵列。如果将纳米晶体(31)并入到所述栅极与所述沟道之间的层(29)中，那么可形成非易失性浮动栅极晶体管。在没有所述纳米晶体层的情况下，形成MOS或CMOS晶体管。

主权项

1.一种垂直MOS晶体管，其包含：漏极、沟道和源极区的垂直堆叠夹层排列，其位于经轻度掺杂的硅衬底上的有源区域内，其中所述源极和漏极区中的一者至少部分位于所述衬底中，且具有远离所述堆叠夹层排列的电极延伸并具有第一导电类型，所述沟道具有第二导电类型，且所述源极和漏极区中的另一者具有所述第一导电类型；一对L形栅极，其竖直部分横向邻近于所述堆叠夹层排列但由薄绝缘体分离，所述栅极具有非竖直部分，所述非竖直部分形成远离所述堆叠夹层排列的栅极延伸；以及多个电触点，其中第一和第二触点具有接触所述电极和栅极延伸的垂直部分，且第三触点接触所述源极和漏极区中的另一者，所述第一、第二和第三触点具有排列成平面阵列的部分。