| 发明名称 | 半导体芯片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在背面形成有粘接膜的半导体芯片的制造方法。在将半导体晶片单片化而形成的半导体芯片的背面形成均匀膜厚的粘接膜的方法，包括：利用旋涂法在假晶片上涂敷贴片剂而形成涂膜的工序；使半导体晶片的背面粘贴于假晶片上的贴片剂的涂膜上的工序；分割该半导体晶片而形成单片的单片化工序；以及从假晶片上剥下单片，将贴片剂的涂膜转印于单片的背面而形成粘接膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101170051A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200710142597.3 | 申请日期 | 2007.08.29 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 野村昭彦 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/50(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 雒运朴;李伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片在背面形成有粘接膜，其特征在于，具有：通过旋涂法在假晶片上涂敷贴片剂而形成涂膜的工序；使半导体晶片的背面粘贴于上述假晶片上的上述贴片剂的涂膜上的工序；分割该半导体晶片而形成单片的单片化工序；以及从上述假晶片上剥下上述单片，将上述贴片剂的上述涂膜转印于上述单片的背面而形成粘接膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||