| 发明名称 | 半导体装置和半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 半导体存储装置，具备有：存储器阵列(BANK1)；连接于读出放大器(104)上的第1全程位线(RGBL)；连接到写入放大器(102)上的第2全程位线(WGBL)；和使多条位线(LBL)选择性地连到上述第1全程位线(RGBL)和第2全程位线(WGBL)上的选择电路(YSW1)。 | ||
| 申请公布号 | CN100385572C | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN03123695.2 | 申请日期 | 1997.08.05 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 长田健一;樋口久幸;石桥孝一郎 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01);H01L27/11(2006.01) | 主分类号 | G11C11/413(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，包括：具有多条字线，多条位线和配置在上述多条字线与多条位线的交点上的多个存储单元的存储器阵列；连接到读出放大器上的第1全程位线；连接到写入放大器上的第2全程位线；把上述多条位线选择性地连接到上述第1和第2全程位线上的选择电路，其中，上述第1和第2全程位线被配置于上述存储器阵列上；在从上述存储器阵列中读出数据时，上述多条位线电连接到上述第1全程位线上，并通过上述读出放大器输出数据；在向上述存储器阵列中写入数据时，通过上述写入放大器把数据输入到第2全程位线上去，并且上述多条位线电连接到上述第2全程位线上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||