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Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungseinrichtung (12) und eine Maske (14) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage (10) sowie ein Verfahren zur lithographischen Belichtung eines Gegenstandes (20). Die erfindungsgemäße Beleuchtungseinrichtung (12) weist eine Strahlungsquelle (24) zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung (25) sowie eine Beleuchtungsoptik (26) zum Lenken der elektromagnetischen Strahlung (25) auf eine Maskenebene (16) der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage (10) auf. Dabei ist die Beleuchtungseinrichtung (12) dazu eingerichtet, in dem Zustand, in dem die Beleuchtungseinrichtung (12) in der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage (10) montiert ist, ein Interferenzmuster (46) in der Maskenebene (16) zu erzeugen.
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