| 发明名称 | 薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要的方法是，采用向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜，对该涂敷膜进行热处理的办法形成所希望的薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100385682C | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN00800436.6 | 申请日期 | 2000.03.29 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 汤田坂一夫;下田达也;关俊一 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/208(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/288(2006.01);G02F1/1368(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏金玺;杨丽琴 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管的制造方法，该方法是具有硅膜、栅极绝缘膜、栅极电极用导电膜、层间绝缘膜、电极和布线用导电膜的各种薄膜的薄膜晶体管的制造方法，其特征是：该方法包括，涂敷第1液体材料形成第1涂敷膜的工序，对所述第1涂敷膜进行热处理或光照射形成所述硅膜的工序，涂敷第2液体材料形成第2涂敷膜的工序，和对所述第2涂敷膜进行热处理或光照射形成所述栅极绝缘膜的工序，所述第1液体材含有具有用通式SinXm表示的环系的硅化合物，其中n表示5以上的整数，m表示n或2n-2或2n的整数，X表示氢原子和/或卤素原子。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||