闪存工艺中接触孔阻挡层的制造方法

摘要

本发明公开了一种闪存工艺中接触孔阻挡层的制造方法，在完成硅化物工艺后，在晶圆表面用常压淀积的方法淀积作为隔离层的氧化物，然后淀积氮化层，接着淀积硼磷硅玻璃，将前述硼磷硅玻璃平坦化后，再淀积一层氧化物；作为隔离层的氧化物的厚度H应为：1500埃≥H≥100埃。本发明由于在闪存的阻挡层与晶体管之间淀积了一层做为隔离层的氧化物，该氧化物能起到防止闪存中产生过大漏电流的作用。

主权项

1.一种闪存工艺中接触孔阻挡层的制造方法，在完成硅化物工艺后，进行在晶圆表面淀积氮化层的步骤、淀积硼磷硅玻璃的步骤、将前述硼磷硅玻璃平坦化的步骤、淀积氧化物的步骤，其特征是：包括在完成硅化物工艺后，淀积氮化层之前，在晶圆表面用常压淀积的方法淀积作为隔离层的氧化物的步骤。